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生产口罩~熔喷布专用—HN熔喷布高压静电发生器

分类:
行业资讯
作者:
专业电气制造商
2020/04/30 11:25

2020新型冠状病毒强势来袭,新型冠状病毒感染者不断增加,让口罩成为稀缺品,各地工厂在加班加点生产口罩,而口罩生产的原材料熔喷无纺布也成市场紧缺品,武高华能电气有限公司有口罩生产的HNYD熔喷布高压静电发生器,该设备可持续生产高压静电,主要作用是给口罩无纺布熔喷静电,使口罩对平均颗粒直径为(3±0.3μm的金黄色葡萄球菌气溶胶的过滤效率不低于95% 此设备在口罩生产线中不可或缺,且有效的解决国外设备价格高,交期长,售后困难等综合问题,更有效地保证口罩的正常生产与供应。 

 

口罩用熔喷非织造布为什么需要驻极处理?

熔喷布主要以聚丙烯为主要原料,纤维直径可以达到15微米。空隙多、结构蓬松、抗褶皱能力好,这些具有独特的毛细结构的超细纤维增加单位面积纤维的数量和表面积,从而使熔喷布具有很好的过滤性、屏蔽性、绝热性和吸油性。可用于空气、液体过滤材料、隔离材料、吸纳材料、口罩材料、保暖材料、吸油材料及擦拭布等领域。

 整个口罩的核心,是熔喷非织造材料。熔喷非织造布是一种比较理想的口罩材料,由于致密的熔喷层,其纤维的线密度很小,基本上都是超细纤维,可达到0.01~0.05dtex,约为普通纺粘纤维线密度的1% 

驻极处理 

驻极体是指具有长期储存电荷功能的电介质材料,具有高效率,低流阻,抗菌,节能等优点,在保证常规滤材的物理碰撞阻隔作用基础上,增加了静电吸附作用。驻极处理使得过滤材料纤维带有电荷,结合熔喷超细纤维材料致密的特点,因此带电纤维间形成了大量的电极,带电纤维不仅能够像磁铁一样吸引环境中大部分的带电微粒,同时也可将未带电的部分颗粒极化,进而吸附一些粒径较小的污染物,甚至病毒这种纳米级的物质也可进行静电吸附或电荷相斥阻隔。 

驻极工艺

 

驻极体是指具有长期储存电荷功能的电介质材料,具有高效率,低流阻,抗菌,节能等优点,在保证常规滤材的物理碰撞阻隔作用基础上,增加了静电吸附作用。驻极处理使得过滤材料纤维带有电荷,结合熔喷超细纤维材料致密的特点,因此带电纤维间形成了大量的电极,带电纤维不仅能够像磁铁一样吸引环境中大部分的带电微粒,同时也可将未带电的部分颗粒极化,进而吸附一些粒径较小的污染物,甚至病毒这种纳米级的物质也可进行静电吸附或电荷相斥阻隔。 

驻极工艺 

工艺流程:

    将已经制备好的熔喷无纺布置于电极极板上多排电晕针尖对准试样打开高压静电发生器针尖电压升高达到一定电压电极针尖附近的空气产生局部电晕放电释放出电子或离子在电极下方的试样表面捕获与放电针极性相同的电荷使聚丙烯熔喷纤维带电。 

驻极机理:

电晕充电法是工业生产中应用广泛的生产驻极体过滤材料的方法。利用一个均匀电场引起空气局部击穿的电晕放电产生离子束轰击电介质,并使离子电荷沉积于电介质中,材料便带上电荷。 

驻极材料有效提高非织造布的过滤效率 

  传统的过滤材料大多采用的普通熔喷非织造布等,其过滤效果较差,不能有效过滤空气中的微小颗粒及细菌;经研究,采用驻极工艺,即: 生产过程中加入驻极材料、并进行驻极处理的聚丙烯非织造布具有较高的过滤效率。 

  与普通织物过滤材料相比, 采用驻极工艺生产的聚丙烯熔喷非织造布在碰撞、拦截和扩散等机械捕集机理的基础上,增加了 静电吸附作用,既提高了过滤效率,又不会增加过滤阻力。 同时,还具有抗菌抑菌的性能。 

  高压电晕充电法是工业生产中广泛采用的驻极处理方法,原理是利用非均匀电场引起的空气局部击穿的电晕放电现象而产生的离子束轰击电介质使其带电。

 

HNYD熔喷布高压静电发生器产品概述

武高华能这款WDYDJ系列耐压试验装置是鉴定电力设备绝缘强度的严格、有效和直接的方法。它能检查出那些危险性较大的集中缺陷,对判断电力设备能否继续参加运行具有决定性作用,是保证设备绝缘水平、避免发生绝缘事故的重要手段。

本装置是根据国家新电力行业标准而设计的、性能先进的耐压试验设备,用于对各种电器产品、电气元件、绝缘材料等进行规定电压下的绝缘强度试验,以考核产品的绝缘水平,发现被试品的绝缘缺陷,衡量过电压的能力。 

 

HNYD熔喷布高压静电发生器产品特点

监视功能:高压电压(\)  低压电流  零位指示  电源指示 工作指示 计时指示

保护功能:过流保护、零位启动保护、声光语言报警提醒

采用新型时间继电器,计时范围更广(1S99H

采用新型电流继电器,更精que、更可靠,确保人身及设备安全

高压试验变压器采用新型绝缘,耐潮,耐冲击,绝缘程度高

结构合理,体积小,重量轻 

 

HNYD熔喷布高压静电发生器使用条件

工作场所应无严重影响绝缘的气体、蒸汽、化学性尘埃及其它爆炸性和腐蚀性介质。

环境温度:040  

环境湿度:≤85% RH(无凝结水  

海拔高度:1000m                                        

 

 

 

 

 

 

                                              

 

 

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